從SiC/SiC復(fù)合材料氧化行為、氧化環(huán)境下的失效機(jī)理與力學(xué)性能三個(gè)方面,對(duì)SiC/SiC復(fù)合材料氧化退化的研究進(jìn)展進(jìn)行了綜述。文中總結(jié)了影響材料氧化行為的重要因素,包括溫度、氧分壓、水蒸汽以及界面層厚度等。詳細(xì)分析了材料在不同溫度范圍內(nèi)的失效機(jī)制,即氧化脆化是SiC/SiC復(fù)合材料在中溫范圍內(nèi)的重要失效機(jī)制,材料在高溫下的失效主要是由纖維強(qiáng)度退化、蠕變及界面氧化引起的�？偨Y(jié)出:界面氧化消耗、纖維性能退化是引起材料力學(xué)性能退化的關(guān)鍵因素,指出了目前研究中存在的問(wèn)題和發(fā)展方向。

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【文章目錄】：
1 引言
2 Si C/Si C復(fù)合材料的氧化行為
    2.1 氧化劑的擴(kuò)散通道
    2.2 氧化動(dòng)力學(xué)行為
        2.2.1 Si C/Py C/Si C復(fù)合材料的氧化動(dòng)力學(xué)行為
        2.2.2 Si C/BN/Si C復(fù)合材料的氧化動(dòng)力學(xué)行為
        2.2.3 氧化動(dòng)力學(xué)模型
3 氧化失效機(jī)理
    3.1 高溫氧化失效
    3.2 熱力氧耦合環(huán)境下的失效
4 氧化環(huán)境下的力學(xué)行為
    4.1 氧化后力學(xué)行為
    4.2 熱力氧耦合環(huán)境下力學(xué)行為
        4.2.1 氧化環(huán)境下的靜態(tài)拉伸和彎曲性能
        4.2.2 氧化環(huán)境下的應(yīng)力斷裂和蠕變行為
        4.2.3 氧化環(huán)境下的疲勞性能
        4.2.4 氧化環(huán)境下力學(xué)行為模擬
5 總結(jié)與展望



本文編號(hào)：4001138