過渡金屬硫族化合物的筑構及其電阻轉變與電化學性能的研究
發(fā)布時間:2024-06-29 12:49
構筑納米復合材料或在一種化合物中引入多種金屬元素,能夠協同各組分不同功能,實現材料性能的提升甚至拓展,是非常有應用前景的研究課題。本文中,以該課題作為思路,主要開展了針對兩種過渡金屬硫族化合物的研究工作:二硫化鉬/石墨烯復合物的阻變效應與電催化析氫性能研究、雙金屬鎳鈷硒化物的制備與超電特性研究。具體如下:一.二硫化鉬/石墨烯復合材料的阻變效應與電催化析氫性能自2004年石墨烯被發(fā)現以來,二維材料成為科學界的研究熱點。二硫化鉬(MoS2)納米片是一種典型的二維半導體材料。由于在光學、電學、能源存儲與轉換、機械、傳感,甚至生物領域都有著優(yōu)異的性能,它受到廣泛關注。構筑納米復合材料可以突破單一材料的局限,協同不同功能,從而實現材料功能的可調性和多樣性。因此,MoS2納米片與其他材料的復合有望獲得更加優(yōu)異的物理與化學性能。氧化石墨烯(GO)是制備石墨烯的中間產物,表層具有豐富的含氧官能團,并且比表面積相當高。因此,它能夠為其他材料的成核生長提供理想的場所,實現與其他物質的有效復合。本文中,我們利用水熱法合成了 MoS2與還原氧化石墨烯(rGO)的復合物(MoS2-rGO),并且研究了復合材料的...
【文章頁數】:105 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
本文編號:3997580
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【部分圖文】:
圖1-1:?(a)石墨烯的晶體結構[2],(b)碳原子的成鍵形式
圖1-1:?(a)石墨烯的晶體結構[2],(b)碳原子的成鍵形式。??石墨烯是碳原子以sp2雜化軌道組成正六邊形呈蜂巢狀結構的單層二維晶??體材料,其厚度是0.335?nm。晶體結構與碳原子的成鍵形式分別如圖1-1?(a)、??(b)
圖1-3:石墨燦的能帶結構[2]
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圖1-4:從石墨到還原氧化石墨烯轉變過程的分子模型[34]
模生產石墨烯有效的方法之一,具有原料豐富、工藝簡單、成本低廉、產量高等??優(yōu)點。其生產步驟主要包括兩步,由石墨到氧化石墨烯的轉變、氧化石墨烯到還??原氧化石墨烯的轉變,參見圖1-4。具體的步驟如下:??第一步,存在強氧化劑條件下生成氧化石墨,繼而進行超聲處理產生氧化石??5??
圖1-6:不同層數”〇52的電子能帶結構[38]
一般天然塊體MoS2表現為2H相晶體結構,是間接帶隙半導體、帶隙寬度??為1.2?eV;由于量子限域效應,當層數降低至單層時,M〇S2變?yōu)橹苯訋栋雽??體、帶隙寬度為1.9eV[39,40]。圖1-6是不同層數\1〇52的電子能帶結構,紅色??虛線表示費米能級、箭頭表示帶隙、綠....
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