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過渡金屬硫族化合物的筑構(gòu)及其電阻轉(zhuǎn)變與電化學性能的研究

發(fā)布時間:2024-06-29 12:49
  構(gòu)筑納米復(fù)合材料或在一種化合物中引入多種金屬元素,能夠協(xié)同各組分不同功能,實現(xiàn)材料性能的提升甚至拓展,是非常有應(yīng)用前景的研究課題。本文中,以該課題作為思路,主要開展了針對兩種過渡金屬硫族化合物的研究工作:二硫化鉬/石墨烯復(fù)合物的阻變效應(yīng)與電催化析氫性能研究、雙金屬鎳鈷硒化物的制備與超電特性研究。具體如下:一.二硫化鉬/石墨烯復(fù)合材料的阻變效應(yīng)與電催化析氫性能自2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來,二維材料成為科學界的研究熱點。二硫化鉬(MoS2)納米片是一種典型的二維半導(dǎo)體材料。由于在光學、電學、能源存儲與轉(zhuǎn)換、機械、傳感,甚至生物領(lǐng)域都有著優(yōu)異的性能,它受到廣泛關(guān)注。構(gòu)筑納米復(fù)合材料可以突破單一材料的局限,協(xié)同不同功能,從而實現(xiàn)材料功能的可調(diào)性和多樣性。因此,MoS2納米片與其他材料的復(fù)合有望獲得更加優(yōu)異的物理與化學性能。氧化石墨烯(GO)是制備石墨烯的中間產(chǎn)物,表層具有豐富的含氧官能團,并且比表面積相當高。因此,它能夠為其他材料的成核生長提供理想的場所,實現(xiàn)與其他物質(zhì)的有效復(fù)合。本文中,我們利用水熱法合成了 MoS2與還原氧化石墨烯(rGO)的復(fù)合物(MoS2-rGO),并且研究了復(fù)合材料的...

【文章頁數(shù)】:105 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

圖1-1:?(a)石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)[2],(b)碳原子的成鍵形式

圖1-1:?(a)石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)[2],(b)碳原子的成鍵形式

圖1-1:?(a)石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)[2],(b)碳原子的成鍵形式。??石墨烯是碳原子以sp2雜化軌道組成正六邊形呈蜂巢狀結(jié)構(gòu)的單層二維晶??體材料,其厚度是0.335?nm。晶體結(jié)構(gòu)與碳原子的成鍵形式分別如圖1-1?(a)、??(b)


圖1-3:石墨燦的能帶結(jié)構(gòu)[2]

圖1-3:石墨燦的能帶結(jié)構(gòu)[2]

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圖1-4:從石墨到還原氧化石墨烯轉(zhuǎn)變過程的分子模型[34]

圖1-4:從石墨到還原氧化石墨烯轉(zhuǎn)變過程的分子模型[34]

模生產(chǎn)石墨烯有效的方法之一,具有原料豐富、工藝簡單、成本低廉、產(chǎn)量高等??優(yōu)點。其生產(chǎn)步驟主要包括兩步,由石墨到氧化石墨烯的轉(zhuǎn)變、氧化石墨烯到還??原氧化石墨烯的轉(zhuǎn)變,參見圖1-4。具體的步驟如下:??第一步,存在強氧化劑條件下生成氧化石墨,繼而進行超聲處理產(chǎn)生氧化石??5??


圖1-6:不同層數(shù)”〇52的電子能帶結(jié)構(gòu)[38]

圖1-6:不同層數(shù)”〇52的電子能帶結(jié)構(gòu)[38]

一般天然塊體MoS2表現(xiàn)為2H相晶體結(jié)構(gòu),是間接帶隙半導(dǎo)體、帶隙寬度??為1.2?eV;由于量子限域效應(yīng),當層數(shù)降低至單層時,M〇S2變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)??體、帶隙寬度為1.9eV[39,40]。圖1-6是不同層數(shù)\1〇52的電子能帶結(jié)構(gòu),紅色??虛線表示費米能級、箭頭表示帶隙、綠....



本文編號:3997580

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