主要研究了硫化鎢(WS₂)/硫化鉬(MoS₂)薄膜異質(zhì)結(jié)的制備及其光電特性。首先以WS₂粉末為原料,采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在Si襯底上沉積WS₂薄膜,然后以MoS₂粉末為原料在WS₂薄膜表面沉積MoS₂薄膜形成WS₂/MoS₂異質(zhì)結(jié)。利用原子力顯微鏡(AFM)觀察發(fā)現(xiàn)制備的WS₂和MoS₂薄膜大面積均勻,表面分布密集的納米粒子,高度分別約為0.8 nm和50 nm。WS₂/MoS₂異質(zhì)結(jié)對(duì)可見(jiàn)光有良好的吸收特性,并隨光功率的增加,流過(guò)異質(zhì)結(jié)的光電流也顯著增加。另外,還發(fā)現(xiàn)WS₂/MoS₂異質(zhì)結(jié)在溫度和工作頻率改變時(shí)I-V曲線也出現(xiàn)明顯變化。隨溫度升高,流過(guò)異質(zhì)結(jié)的電流顯著增加,而隨工作頻率的增加,異質(zhì)結(jié)的電容迅速減小。以上研究結(jié)果表明,WS₂

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3995046