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1)  secondary recrystallization annealing

二次再結(jié)晶退火

2)  recrystallization annealing

再結(jié)晶退火

1.

Model of recrystallization annealing and properties of niobium microalloyed high strength steel sheet after cold rolling;

高強(qiáng)冷軋鈮鋼的再結(jié)晶退火與性能模型

2.

Study on Modeling and Simulation of Recrystallization Annealing Process for Material with Second Phase Particle by Cellular Automata Method;

二相粒子材料再結(jié)晶退火的元胞自動(dòng)機(jī)模型及其模擬研究

3.

EBSD investigation of cold-rolled non-oriented silicon steel in recrystallization annealing process

冷軋無取向硅鋼再結(jié)晶退火過程的EBSD分析

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3)  secondary recrystallization

二次再結(jié)晶

1.

At the starting temperature of secondary recrystallization, 950℃, a certain Sn still segregates at grain boundaries.

在二次再結(jié)晶起始溫度950℃,Sn在晶界仍有一定的偏聚量,作者認(rèn)為,Sn通過在晶界偏聚起到了輔助抑制劑的作用。

2.

The results show that final microstructure of the hot-rolled sheet is coarse-grained structure as a result of the occurrence of secondary recrystallization,but the cold-rolled sheet has only a primary recrystallization.

結(jié)果表明,MGH754合金熱軋板材的終態(tài)組織是發(fā)生了二次再結(jié)晶的粗晶組織,而冷軋板材只發(fā)生了一次再結(jié)晶。

3.

The results show that transverse rolling sheet could create comparatively perfect structure due to the occurrence of secondary recrystallization.

結(jié)果表明:由于發(fā)生了相對(duì)完全的二次再結(jié)晶,橫向軋制板材能得到理想的終態(tài)組織。

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4)  second crystallization

二次再結(jié)晶現(xiàn)象

5)  imcomplete recrystallizatiom annealing

不完全再結(jié)晶退火

6)  Secondary annealing

二次退火

1.

Effect of secondary annealing on Al/Ti/n-GaN/Si ohmic contacts;

二次退火對(duì)Al/Ti/n-GaN/Si歐姆接觸的影響

補(bǔ)充資料：二次再結(jié)晶

二次再結(jié)晶
secondary tecrystallizationg

ofCI ZoljleJIng==次再結(jié)晶(seeondary reerystalli:ation)又稱二次重結(jié)晶、異常晶粒長(zhǎng)大，或不連續(xù)長(zhǎng)大。是指少數(shù)大晶粒在小晶粒消耗時(shí)成核長(zhǎng)大的過程。因?yàn)榫Я４笥?條邊界時(shí)邊界向內(nèi)凹，而晶粒小于6條邊界時(shí)邊界向外凸.凸面的界面能大于凹面的界面能，因此晶界向凸面曲率中心移動(dòng)，結(jié)果小于6條邊的小晶粒縮小，甚至消滅，而大于6條邊的大晶粒異常長(zhǎng)大. 當(dāng)正常的晶粒生長(zhǎng)由于夾雜物或細(xì)孔等的阻礙作用而停止以后，如果在均勻基相中有若干大晶粒，其晶粒邊界比鄰近晶粒的邊界多得多，晶界曲率也較大，大晶粒的界面能較小晶粒低，，在界面能驅(qū)動(dòng)下，大晶粒晶界就可以越過氣孔或夾雜物而進(jìn)一步向鄰近曲率半徑小的小晶粒中心推進(jìn)，而使大晶粒成為二次再結(jié)晶的核心，不斷吞并周圍小晶粒而迅速長(zhǎng)大，直至與鄰近大晶粒接觸為止。 晶粒二次再結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)，氣孔都維持在晶界上或晶界交匯處;即二次再結(jié)晶時(shí)氣孔常被包裹到晶粒內(nèi)部。 為了得到致密的燒結(jié)料，制止二次再結(jié)晶是重要的。引入適當(dāng)添加劑能制止或減慢晶界的遷移，從而使氣孔排除，甚至可制得完全無氣孔的多晶材料。 (陳攀友)

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