發(fā)布時(shí)間：2024-06-06 02:16

　　研究中以醋酸鈰為前驅(qū)體,采用微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)工藝制備了Ce摻雜的CVD金剛石薄膜.采用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和拉曼檢測,系統(tǒng)地研究了Ce摻雜對金剛石膜的形貌和微觀結(jié)構(gòu)的影響.掃描電鏡(SEM)檢測結(jié)果揭示了Ce摻雜可以使薄膜表面生長更多的微米金剛石方晶.X射線衍射(XRD)檢測結(jié)果表明:Ce的加入可以改變金剛石薄膜中晶粒的擇優(yōu)取向.拉曼(Raman)檢測結(jié)果顯示:當(dāng)Ce摻雜的通量為0,30,45,60 sccm時(shí),對薄膜中金剛石峰的半高寬值分別為10,18,13,9.研究結(jié)果表明:適當(dāng)?shù)腃e摻雜可以提高薄膜中金剛石的結(jié)晶質(zhì)量.

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

不同載氣通量下生長的金剛石薄膜的形貌如圖1所示.SEM圖片顯示,在金剛石薄膜中摻入Ce后,薄膜的形貌發(fā)生了顯著的變化.圖1(a)顯示純金剛石薄膜表面有納米尺寸和微米尺寸的晶粒.微米尺寸晶粒是金字塔形的金剛石晶體呈(110)頂面.由于生長薄膜的表面能增加,微晶頂部變平[18].其他....

金剛石峰的FWHMs見表2,當(dāng)載氣流量為30sccm時(shí),Ce的加入使金剛石峰的半高寬值從10上升到18.然而,將載氣流量增加到45sccm和60sccm,金剛石峰的FWHMs從18降低到13和9.結(jié)果表明,Ce的摻雜可以影響薄膜中金剛石的相成分,一定量Ce的加入可以提高薄膜....

圖2顯示了金剛石薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和相成分的XRD分析結(jié)果.根據(jù)圖2所示的光譜,在2θ值為43.2°,75.3°和91.5°的光譜中出現(xiàn)了3個(gè)衍射峰,這些衍射峰是由金剛石(111),(220)和(311)晶向的晶體反射造成的.與(311)峰強(qiáng)度相比,(111)和(220)峰強(qiáng)度相對....

本文編號：3990155