發(fā)布時間：2018-07-29 06:44

【摘要】：采用光刻技術(shù)、刻蝕技術(shù)和等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),在線陣掩模微結(jié)構(gòu)表面沉積了SiO2和Si3N4薄膜,研究了線陣掩模的寬度和厚度,以及薄膜的厚度和沉積速率對SiO2和Si3N4薄膜復(fù)形性的影響,制備得到了具有良好微結(jié)構(gòu)形貌的微結(jié)構(gòu)濾光片陣列。結(jié)果表明,薄膜沉積速率越大,薄膜的復(fù)形性越好;掩模厚度和薄膜沉積厚度的增加會導(dǎo)致薄膜的復(fù)形性變差;SiO2薄膜的復(fù)形性優(yōu)于Si3N4薄膜的。
[Abstract]:SiO2 and Si3N4 thin films were deposited on the surface of on-line mask by photolithography, etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The width and thickness of linear mask were studied. The effects of the thickness and deposition rate of the films on the compactness of SiO2 and Si3N4 thin films were investigated. The microstructured filter arrays with good microstructure were prepared. The results show that the higher the deposition rate, the better the compactness of the films, and the higher the mask thickness and the deposition thickness, the more complex the Sio _ 2 films are than the Si3N4 films.
【作者單位】： 西安工業(yè)大學(xué)光電工程學(xué)院;
【基金】：陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計劃(2014JM8333)
【分類號】：O484

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本文編號：2151857