發(fā)布時間：2018-01-22 19:56

  本文關鍵詞： 氮化銅 薄膜 Al摻雜 光學特性 電學特性　出處：《功能材料》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用磁控共濺射方法在玻璃基底上制備出了Al摻雜Cu_3N薄膜,研究了其晶體結構、表面形貌、光學特性和電學特性。XRD結果表明Al摻雜沒有引起峰位的明顯變化,說明Al替代了Cu的位置或者進入晶界處,并且隨摻雜含量升高,結晶度降低;掃描電子顯微鏡圖像表明Al摻雜之后使得氮化銅晶粒形狀變得不規(guī)則,晶界變得模糊,說明Al摻雜會抑制氮化銅晶體的生長;通過光學透射譜計算得到光學帶隙,Al摻雜降低了氮化銅薄膜的光學帶隙,并隨著摻雜含量的增加而逐漸減小,實現了Al摻雜氮化銅薄膜光學帶隙的連續(xù)可調,帶隙減小源于Al外層電子的局域態(tài)進入氮化銅的帶隙間,增加了中間態(tài)。同時四探針的測試也表明摻雜之后電阻率變小。
[Abstract]:Al-doped Cu_3N thin films were prepared on glass substrates by magnetron co-sputtering. The crystal structure and surface morphology were investigated. The results of optical and electrical properties. XRD show that Al doping does not cause obvious change of peak position, indicating that Al replaces the position of Cu or enters the grain boundary, and the crystallinity decreases with the increase of doping content. Scanning electron microscopy (SEM) images show that Al doping makes the grain shape of copper nitride become irregular and the grain boundary becomes blurred, indicating that Al doping can inhibit the growth of copper nitride crystal. The optical band gap of copper nitride thin films was decreased by optical band gap Al doping, and gradually decreased with the increase of doping content. The optical band gap of Al-doped copper nitride thin film is continuously adjustable, and the band gap decreases when the localized state of the Al outer electron enters the band gap of copper nitride. The intermediate state is increased and the resistivity is reduced after doping.
【作者單位】： 湖北民族學院理學院;南京郵電大學材料科學與工程學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51172110) 湖北省教育廳基金項目(B20082902)
【分類號】：TB383.2;TQ131.21
【正文快照】： 0引言氮化銅薄膜呈墨綠色,是一種反三氧化錸結構的立方晶體,立方晶體的8個頂角處被N原子占據,立方晶胞的每一邊的中點處為Cu原子[1],氮原子和銅原子以離子鍵和共價鍵混合的形式結合[2],所以氮化銅薄膜在250[3]~450℃[4]之間即可分解為Cu和N2,這一低溫熱分解特性也被稱作亞穩(wěn)態(tài)

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本文編號：1455613