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低維半導(dǎo)體納米材料紫外光電性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2016-11-07 20:52

  本文關(guān)鍵詞:低維半導(dǎo)體納米材料紫外光電性能的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


《吉林大學(xué)》 2015年

低維半導(dǎo)體納米材料紫外光電性能的研究

張敏  

【摘要】:本文從計(jì)算物理角度出發(fā),詳細(xì)研究了金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu)(MSM)TiO2紫外探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及器件性能的數(shù)值分析。在實(shí)驗(yàn)方面,制作了多種基于ABO3型鈣鈦礦材料的紫外探測器,其中NaTaO3基紫外探測器的研究屬于首次報(bào)道。此外,研究了高濃度Zr摻雜和聚(9,9-二己基芴)表面修飾對TiO2紫外探測器性能的影響,取得了如下研究成果: 在器件性能的數(shù)值分析中,對MSM結(jié)構(gòu)TiO2紫外探測器電流傳輸機(jī)制進(jìn)行了深入分析,利用MATLAB軟件,對探測器的幾何結(jié)構(gòu)以及摻雜濃度、有源層厚度、光吸收系數(shù)等參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)分析,研究這些參數(shù)與探測器性能之間的關(guān)系。通過對器件進(jìn)行靜態(tài)和瞬態(tài)分析,對暗電流、量子效率、響應(yīng)時(shí)間等重要性能進(jìn)行優(yōu)化,最后得出使器件性能最優(yōu)的相關(guān)參數(shù)數(shù)值,用于指導(dǎo)實(shí)際器件制作,也為其他半導(dǎo)體材料紫外探測器的理論模擬研究奠定良好的基礎(chǔ)。通過計(jì)算機(jī)數(shù)值分析我們發(fā)現(xiàn)金屬功函數(shù)越高,與半導(dǎo)體形成的肖特基勢壘越大,探測器的暗電流越低。光吸收系數(shù)、有源層厚度和反射率都會(huì)影響量子效率:有源層厚度不宜過薄或過厚,在0.2μm左右適宜;光吸收系數(shù)、反射率的優(yōu)化值分別為1.5×107/m和0.22。叉指長度或間距長于20μm后,量子效率或響應(yīng)度幾乎不再隨著叉指長度或間距的增大而增大。反向工作電壓越大,晶體質(zhì)量越好,器件的結(jié)電容越小,渡越時(shí)間越快,電容和渡越時(shí)間的理論計(jì)算值分別為4.57pF,0.4s。 本文制作了多種鈣鈦礦材料紫外探測器,包括SrTiO3、NaTaO3、LaAlO3等:采用sol-gel法制備了SrZr0.1Ti0.9O3納米薄膜,并利用多種表征手段對合成的材料進(jìn)行分析,基于上述薄膜材料,制作了Au電極MSM結(jié)構(gòu)SrZr0.1Ti0.9O3紫外探測器。器件的紫外/可見抑制比超過三個(gè)數(shù)量級,具有非常高的靈敏度。器件的暗電流為41pA,響應(yīng)度為94mA/W,響應(yīng)時(shí)間分別為3.8ms和565ms。 采用水熱法制備NaTaO3膜,制作出具有電容效應(yīng)的MSM結(jié)構(gòu)NaTaO3基紫外探測器,并測試了器件的電流電壓、光譜響應(yīng)以及響應(yīng)時(shí)間特性,5V偏壓下,器件的光電流為20.2nA,光暗電流之比超過一個(gè)數(shù)量級,響應(yīng)峰值出現(xiàn)在260nm處,為76.8mA/W。 除此之外,制作了基于TiO2/SrTiO3異質(zhì)結(jié)有源層的平面MSM結(jié)構(gòu)可見盲型紫外探測器,發(fā)現(xiàn)引入的TiO2/SrTiO3異質(zhì)結(jié)使器件增益變大,響應(yīng)時(shí)間變快。10V偏壓下暗電流僅為0.2nA,260nm處響應(yīng)度峰值為46.1A/W,響應(yīng)時(shí)間分別為3.5ms和1.4s。制作了LaAlO3基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器,器件顯示良好的日盲特性,具有非常低的暗電流和超高靈敏度。Pt電極器件的暗電流僅為4.1pA,在200nm處響應(yīng)度峰值為325mA/W。 本文既包含對TiO2紫外探測器摻雜改性的研究,又有將TiO2紫外探測器與有機(jī)聚合物雜化的研究:采用sol-gel法制備了高濃度Zr摻雜的TiO2納米薄膜,Zr0.5Ti0.5O2納米薄膜的紫外吸收邊處于日盲區(qū)范圍,說明高濃度Zr摻雜改變了復(fù)合材料的禁帶寬度。以此材料為基底制作了不同電極的MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器,器件在日盲區(qū)具有很高的光響應(yīng)和極低的暗電流。在5V偏壓250nm紫外光照射下,Pt電極器件的響應(yīng)度為620mA/W,暗電流為17pA,響應(yīng)時(shí)間分別為424.1ms、154ms。此外,我們還研究了濕度和溫度對探測器光電性能的影響,器件對外界濕度和溫度變化表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。 通過溶劑熱法合成了TiO2,材料呈現(xiàn)一維納米線結(jié)構(gòu)且表面形貌致密均勻。以TiO2納米線為電子受體材料,聚(9,9-二己基芴)為電子給體材料,通過溶液旋涂法制作了有機(jī)/無機(jī)雜化紫外探測器。器件的暗電流低(1.9nA)、光響應(yīng)大(568mA/W)、靈敏度高,為紫外成像研究打下良好基礎(chǔ)。最后,對雜化體系中載流子的內(nèi)部傳輸機(jī)制進(jìn)行了詳細(xì)分析。

【關(guān)鍵詞】:
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN23
【目錄】:

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