發(fā)布時(shí)間：2024-09-17 11:54

　　 材料輻照損傷是核反應(yīng)堆材料、尤其是核聚變堆材料所面臨的重要問(wèn)題.高能粒子(中子、離子、電子)輻照在材料中會(huì)產(chǎn)生大量的點(diǎn)缺陷,即自間隙原子和空位.這些點(diǎn)缺陷聚集在一起會(huì)形成自間隙原子團(tuán)簇和空位團(tuán)簇,從而對(duì)材料結(jié)構(gòu)和性能的演化產(chǎn)生重要影響.空位團(tuán)簇包括有空洞、層錯(cuò)四面體、空位型位錯(cuò)環(huán),而自間隙原子團(tuán)簇則只有自間隙型位錯(cuò)環(huán).本文介紹了兩種點(diǎn)缺陷團(tuán)簇的性質(zhì)、及其對(duì)于以材料輻照腫脹為主要內(nèi)容的材料輻照損傷性能的影響.作為空位團(tuán)簇,比較詳細(xì)介紹了具有本課題組特色的空位型位錯(cuò)環(huán)的研究,同時(shí)分析了合金元素和氫同位素對(duì)空位型位錯(cuò)環(huán)的影響.在鐵試樣中形成的這種空位型位錯(cuò)環(huán)尺寸可達(dá)100 nm左右,該空位型位錯(cuò)環(huán)具有兩種柏氏矢量,b=<100>和b=1/2<111>,前者的數(shù)密度比后者高一個(gè)數(shù)量級(jí).對(duì)于自間隙原子團(tuán)簇,則重點(diǎn)介紹了與其相關(guān)的一維遷移現(xiàn)象及其研究動(dòng)態(tài),該一維遷移性能有可能是影響高熵合金輻照性能的重要因素.

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)


本文編號(hào)：4005418