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硅烯和錫烯納米帶中自旋傳輸性質(zhì)的研究

發(fā)布時(shí)間:2024-07-06 05:31
  近年來(lái),六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料被廣泛地研究,尤其是具有內(nèi)部結(jié)構(gòu)的六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料,其良好的物理性質(zhì)也逐漸地被挖掘。在本文中,我們利用緊束縛模型和格林函數(shù)的方法探究了兩種六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料的輸運(yùn)性質(zhì)。第一種六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料是硅烯,在這里我們提出了兩種不同類型的非對(duì)稱T型硅納米帶,其具有特殊的自旋傳輸特性。在兩種不同T型硅烯納米帶中,我們通過(guò)改變一端的大小來(lái)調(diào)節(jié)整體電導(dǎo)?紤]到交換場(chǎng),近乎完美的自旋極化可以在半導(dǎo)體T型硅烯納米帶這種結(jié)構(gòu)中輕松獲得。另外通過(guò)調(diào)節(jié)T型各端、電場(chǎng)和交換場(chǎng)的大小,可以控制每端的自旋極化。另外一種六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料是錫烯,我們探究了錫烯納米帶的相關(guān)電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)的性質(zhì)。在這里我們將錫烯納米帶散射區(qū)沿寬度方向分成均等的兩子散射區(qū)。首先,在兩子散射區(qū)作用反鐵磁交換場(chǎng),通過(guò)調(diào)節(jié)兩子散射區(qū)反鐵磁交換場(chǎng)作用錫烯納米帶中兩種不同原子的方向和大小,最終考慮到垂直電場(chǎng)的作用,實(shí)現(xiàn)了近乎完美的自旋極化。然后,在兩子散射區(qū)分別作用鐵磁和反鐵磁交換場(chǎng)(雜交交換場(chǎng))。在兩子散射區(qū)相鄰原子交換場(chǎng)作用方向相同情況下,由于谷的劈裂,盡管這時(shí)兩子散射區(qū)交換場(chǎng)的大小可以控制邊緣態(tài)自旋的極化,但不考慮...

【文章頁(yè)數(shù)】:59 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖2-1半導(dǎo)體二維電子氣機(jī)制

圖2-1半導(dǎo)體二維電子氣機(jī)制

第二章電子結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)的計(jì)算方法一格林函數(shù)法??2.1緊束縛模型??二維電子氣(Two-dimeusiona.l?electron?gas)是量子效應(yīng)的產(chǎn)物,指電子可以在二維平面內(nèi)自由移動(dòng),而在第三維上受到限制的電子群。體表面加上一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng),在表面附近形成一個(gè)電子勢(shì)....


圖2-3三終端結(jié)構(gòu)機(jī)制

圖2-3三終端結(jié)構(gòu)機(jī)制

?2.5三終端機(jī)制的電導(dǎo)??在實(shí)際計(jì)算中,我們通常會(huì)碰到多終端體系,例如三終端體系,如圖2-3所??示。通常我們是利用自能項(xiàng)把多終端問(wèn)題轉(zhuǎn)化成一個(gè)有效的兩終端問(wèn)題,然后??計(jì)算等效的兩終端問(wèn)題的格林函數(shù),進(jìn)而求得體系的電導(dǎo)。??I人人人??、人T'??人■人J??<人人人??jn....


圖3-1-1兩種T型娃納米帶結(jié)構(gòu)示意圖??T硅子和輸運(yùn)性質(zhì)可以用緊束縛模型來(lái)表示

圖3-1-1兩種T型娃納米帶結(jié)構(gòu)示意圖??T硅子和輸運(yùn)性質(zhì)可以用緊束縛模型來(lái)表示

圖3-1-1兩種T型娃納米帶結(jié)構(gòu)示意圖??非對(duì)稱的T型硅納米帶的電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì)可以用緊束縛模型來(lái)表示。??根據(jù)格點(diǎn)模型,整個(gè)系統(tǒng)的哈密頓可以表達(dá)成如下的形式:??H?=?-t'^2<i,j>a?ciaCja?+??:3〉3?S?j,j>>a/3?VijCi〇aal3Ci0??....


圖3-1-2?(a)和(b)分別表示在I型T型的桂納米帶中,當(dāng)7V21?=?12,?AL?=??14時(shí),電子從L端傳輸?shù)剑叶撕停远说碾妼?dǎo);(c)和(d)分別表不在I型T型的??

圖3-1-2?(a)和(b)分別表示在I型T型的桂納米帶中,當(dāng)7V21?=?12,?AL?=??14時(shí),電子從L端傳輸?shù)剑叶撕停远说碾妼?dǎo);(c)和(d)分別表不在I型T型的??

圖3-1-2?(a)和(b)分別表示在I型T型的桂納米帶中,當(dāng)7V21?=?12,?14時(shí),電子從L端傳輸?shù)剑叶撕停远说碾妼?dǎo);(c)和(d)分別表不在I型T硅納米帶中,當(dāng)TVrl?=?12,?%?=?16時(shí),電子從L端傳輸?shù)剑叶撕停远说碾姟??閣3-1-2屮展示了I型T型硅納米帶....



本文編號(hào):4002135

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