發(fā)布時(shí)間：2024-06-29 09:48

　　近年來(lái),憶阻器因其獨(dú)特的非線(xiàn)性電學(xué)性能引起了極大的研究興趣,特別是在阻變存儲(chǔ)和神經(jīng)突觸仿生領(lǐng)域研究中有著廣泛應(yīng)用。然而傳統(tǒng)憶阻器件的柔性與耐高溫性較差以及導(dǎo)電通路缺乏可控性導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電壓彌散性較大,這阻礙了憶阻器實(shí)用化發(fā)展的腳步。因此制備出高性能新型憶阻器件是前沿領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。同時(shí),由于鐵電憶阻器件具有良好的可控性,因此本文對(duì)鐵電憶阻器件也進(jìn)行了相應(yīng)研究并對(duì)鐵電與氧空位造成的電阻切換機(jī)制進(jìn)行了深入分析。本文以金屬氧化物材料為基礎(chǔ),對(duì)高性能憶阻器及神經(jīng)突觸仿生功能進(jìn)行研究,其主要內(nèi)容如下:一.本研究制備出基于云母襯底的Pd/BaTiO₃(BTO)/LaSrMnO₃(LSMO)結(jié)構(gòu)柔性存儲(chǔ)器件并對(duì)其柔性以及耐高溫性等進(jìn)行研究。這項(xiàng)工作制備出3毫米彎曲半徑的器件且在彎曲10⁴次后仍然表現(xiàn)出優(yōu)異的電學(xué)性能。除了在室溫下具有穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性和多阻值存儲(chǔ)功能外,在200℃高溫下仍然具有優(yōu)異的保持特性和高阻(HRS)與低阻(LRS)之間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換特性。該工作表明柔性存儲(chǔ)器件具有高溫穩(wěn)定性好、彎曲性和耐久性好等優(yōu)點(diǎn),因而具有巨大的研究?jī)r(jià)值...

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 鐵電存儲(chǔ)器
        1.2.1 鐵電存儲(chǔ)器研究進(jìn)展
    1.3 磁存儲(chǔ)器
    1.4 相變存儲(chǔ)器
    1.5 阻變存儲(chǔ)器
        1.5.1 阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)制
        1.5.2 阻變材料
        1.5.3 阻變存儲(chǔ)中的多阻態(tài)研究
    1.6 神經(jīng)突觸仿生器件研究意義
    1.7 本文的研究意義和主要內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 器件制備儀器簡(jiǎn)要說(shuō)明
        2.1.1 磁控濺射儀器
        2.1.2 脈沖激光沉積技術(shù)
    2.2 測(cè)試和表征儀器簡(jiǎn)要說(shuō)明
    2.3 實(shí)驗(yàn)方法步驟
        2.3.1 Pd/BTO/LSMO/Mica器件制備過(guò)程
        2.3.2 Pd/HZO/TiN/Si器件制備過(guò)程
        2.3.3 Pd/HZO/LSMO器件制備過(guò)程
第三章 基于BaTiO3的柔性阻變存儲(chǔ)器研究
    3.1 Pd/BTO/LSMO/Mica器件表征
    3.2 Pd/BTO/LSMO/Mica器件測(cè)試結(jié)果與分析
    3.3 Pd/BTO/LSMO/Mica器件阻變機(jī)制研究
    3.4 本章總結(jié)
第四章 高度擇優(yōu)取向Hf0.5Zr0.5O2 薄膜電阻存儲(chǔ)器件特性的研究
    4.1 Pd/HZO/TiN/Si器件測(cè)試結(jié)果與分析
    4.2 Pd/HZO/TiN/Si器件神經(jīng)突觸仿生特性
    4.3 Pd/HZO/TiN/Si器件機(jī)制分析
    4.4 本章總結(jié)
第五章 基于襯底應(yīng)力與氧壓控制的Hf_0.5Zr_0.5O₂ 薄膜憶阻器特性研究
    5.1 Pd/HZO/LSMO器件測(cè)試結(jié)果與分析
    5.2 Pd/HZO/LSMO/LAO器件神經(jīng)突觸仿生特性
    5.3 Pd/HZO/LSMO/LAO器件阻變機(jī)制分析
    5.4 本章總結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間取得的科研成果



本文編號(hào)：3997443