發(fā)布時(shí)間：2021-01-14 01:59

　　隨著社會(huì)的發(fā)展,人們接觸到的信息越來越多,需要儲(chǔ)存的信息當(dāng)然也隨之增多。而信息的儲(chǔ)存離不開儲(chǔ)存器,目前我們使用的主流的儲(chǔ)存器是閃存,閃存作為一種非易失性的儲(chǔ)存器,相比于最初的易失性儲(chǔ)存器有著太多的優(yōu)點(diǎn),這為我們的日常生活帶來了很大的便利,我們現(xiàn)在使用的手機(jī)和電腦所使用的儲(chǔ)存器幾乎都是閃存。隨著人們對(duì)信息儲(chǔ)存的要求越來越高,閃存的單個(gè)元器件的尺寸逐漸在減小,不過受限于目前制造工藝和基礎(chǔ)理論,閃存正面臨著極大的挑戰(zhàn),因?yàn)楫?dāng)其單個(gè)元器件的大小減小到量子尺度時(shí),強(qiáng)烈的量子效應(yīng)就會(huì)干擾信息的儲(chǔ)存,使得儲(chǔ)存的信息變得不穩(wěn)定,在這樣的一個(gè)前提下,我們就需要找到另一種新型的儲(chǔ)存器來代替閃存,這種新型的儲(chǔ)存器需要是非易失性的,并且還應(yīng)該具有儲(chǔ)存密度高、讀寫速度快、功耗低、廉價(jià)等優(yōu)點(diǎn),只有這樣才有可能成為下一代通用儲(chǔ)存器件。目前在磁儲(chǔ)存器、鐵電儲(chǔ)存器、相變儲(chǔ)存器、阻變儲(chǔ)存器這幾個(gè)候選者中,科研人員對(duì)阻變儲(chǔ)存器抱有最大的期望,認(rèn)為它最可能成為下一代通用儲(chǔ)存器件。阻變儲(chǔ)存器是基于電阻開關(guān)效應(yīng)的一個(gè)新型儲(chǔ)存器,電阻開關(guān)是目前物理學(xué)的研究熱點(diǎn)之一,它是指一些材料的電阻能夠在外加電壓的作用下能夠在不同的電阻態(tài)之間可... 

【文章來源】：西南大學(xué)重慶市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
3薄膜的基本性質(zhì)">    1.2 BaTiO₃薄膜的基本性質(zhì)
3薄膜的晶體結(jié)構(gòu)">        1.2.1 BaTiO₃薄膜的晶體結(jié)構(gòu)
3薄膜的光電特性">        1.2.2 BaTiO₃薄膜的光電特性
3薄膜的多鐵性">        1.2.3 BaTiO₃薄膜的多鐵性
    1.3 CoFeB薄膜的基本性質(zhì)
    1.4 幾種新型的隨機(jī)儲(chǔ)存器件
    1.5 電阻開關(guān)效應(yīng)
        1.5.1 電阻開關(guān)效應(yīng)的分類
        1.5.2 電阻開關(guān)效應(yīng)的電流傳導(dǎo)機(jī)制
        1.5.3 電阻開關(guān)效應(yīng)的機(jī)理解釋
        1.5.4 電阻開關(guān)效應(yīng)研究進(jìn)展
    1.6 本課題的研究意義和內(nèi)容
第二章 薄膜的制備和表征
    2.1 薄膜的制備
        2.1.1 分子束外延
        2.1.2 激光脈沖沉積
        2.1.3 溶膠-凝膠法
        2.1.4 水熱合成法
        2.1.5 磁控濺射
    2.2 薄膜樣品的表征
        2.2.1 薄膜樣品厚度的測(cè)量
        2.2.2 薄膜樣品表面形貌的表征
        2.2.3 薄膜樣品組分的測(cè)定
        2.2.4 薄膜樣品結(jié)構(gòu)的測(cè)定
        2.2.5 薄膜樣品磁性的測(cè)定
        2.2.6 薄膜樣品電學(xué)性質(zhì)的測(cè)定
第三章 BTO/CFB/BTO三層膜電阻開關(guān)器件的制備與性能研究
    3.1 樣品的制備
    3.2 樣品的表征
    3.3 樣品電阻開關(guān)特性的測(cè)量與結(jié)果分析
        3.3.1 樣品電阻開關(guān)特性的測(cè)量
        3.3.2 結(jié)果分析與討論
        3.3.3 機(jī)理解釋
第四章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
碩士期間論文發(fā)表情況
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]下電極對(duì)ZnO薄膜電阻開關(guān)特性的影響[J]. 李紅霞,陳雪平,陳琪,毛啟楠,席俊華,季振國(guó).  物理學(xué)報(bào). 2013(07)
[2]The effects of substrate temperature on ZnO-based resistive random access memory devices[J]. 趙建偉,劉鳳娟,黃海琴,胡佐富,張希清.  Chinese Physics B. 2012(06)
[3]單相多鐵性材料——極化和磁性序參量的耦合與調(diào)控[J]. 王克鋒,劉俊明,王雨.  科學(xué)通報(bào). 2008(10)
[4]BaTiO3鐵電薄膜的研究進(jìn)展[J]. 張建輝.  金屬功能材料. 2007(03)
[5]用于近代物理實(shí)驗(yàn)教學(xué)的振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)[J]. 張志杰,賀天民,孫昕,杜曉波.  物理實(shí)驗(yàn). 2007(04)
[6]鈦酸鋇的制備研究進(jìn)展[J]. 全學(xué)軍,蒲昌亮.  材料導(dǎo)報(bào). 2002(06)

碩士論文
[1]BiFeO3/γ-Fe2O3顆粒膜的光電性能研究[D]. 沈真.西南大學(xué) 2014
[2]多鐵材料的制備和性能研究[D]. 張金林.蘭州大學(xué) 2012



本文編號(hào)：2975981