發(fā)布時間：2018-07-15 11:47

【摘要】：為了改善TCAM在深亞微米時代嚴重的軟錯誤現象以及加固所帶來的高功耗問題,改進了一種基于刷新機制的TCAM結構.通過級聯式NAND型TCAM匹配線降低系統功耗,左右半區(qū)分工模式的雙漢明編碼和譯碼糾錯電路確保系統可以對部分兩位翻轉進行糾錯,三管DRAM的引入大大降低了由漢明碼糾錯帶來的復雜時序.仿真結果表明,該結構對所有一位軟錯誤有極強的免疫力,對部分兩位軟錯誤有糾錯能力.與加固前相比,搜索功耗只增加了29.8%,寫入速度和搜索速度基本沒受影響.該結構極大地增強了低功耗TCAM的抗軟錯誤能力.
[Abstract]:In order to improve the serious soft error phenomenon of TCAM in the deep submicron era and the problem of high power consumption caused by reinforcement, a TCAM structure based on refresh mechanism is improved. The power consumption of the system is reduced by concatenated NAND TCAM matching line, and the double hamming coding and decoding error correction circuit of the left and right half-zone division mode ensures that the system can correct the error of part of the two-bit flip. The introduction of three-transistor DRAM greatly reduces the complexity of timing caused by hamming code error correction. The simulation results show that the structure has strong immunity to all soft errors, and has the ability to correct some two-bit soft errors. Compared with before reinforcement, the power consumption of the search is only increased by 29.8b, and the write speed and search speed are almost unaffected. The structure greatly enhances the soft error resistance of low power TCAM.
【作者單位】： 大連理工大學電子科學與技術學院;
【基金】：國家自然科學基金(61306091,61131004,61001054) 大連市科技計劃(2012F11GH038)
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2123962