發(fā)布時間：2017-11-06 04:20

  本文關鍵詞：GaN襯底摻雜模式對ZnO納米棒光學性質的影響

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【摘要】：本文通過水熱法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3襯底上制備了ZnO納米棒陣列。利用X射線衍射儀(XRD)、高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)和光致發(fā)光譜(PL)對樣品進行表征,研究在無種子層和金屬催化劑情況下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3襯底對ZnO納米棒生長的影響。結果表明,在u-GaN和p-GaN上生長的ZnO納米棒均為六方纖鋅礦結構。在p-GaN上生長的ZnO納米棒直徑較細且密度更大,這可能是由于p-GaN界面比較粗糙,界面能量較大,為ZnO的生長提供了更多的形核區(qū)域;與生長在u-GaN上的ZnO納米棒陣列相比,p-GaN上所沉積的ZnO納米棒在378.3 nm處有一個較強的近帶邊發(fā)射峰,且峰強比較大,說明在p-GaN上所制備的ZnO納米棒的晶體質量和光學性能更好。
【作者單位】： 太原理工大學新材料界面科學與工程教育部重點實驗室;太原理工大學新材料工程技術研究中心;
【基金】：國家自然科學基金(61404089) 山西省自然科學基金(2014011016-6) 山西省基礎研究項目(2015021103) 山西省青年科技研究基金(2014021019-1)
【分類號】：TB383.1
【正文快照】： (Received 21 December 2015,accepted 24 February 2015)1引言一維納米材料,例如納米棒、納米線和納米帶,在電子器件和光電設備方面具有廣泛的應用前景[1,2]。其中,氧化鋅納米棒陣列由于其禁帶寬度(3.37 e V)和激子束縛能(60 me V)較大[3],在光發(fā)射技術、場發(fā)射技術、場效應

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1 孫世杰;;H銉gan釨s AB中國有限公司擴大在中國的投資[J];粉末冶金工業(yè);2006年02期

2 張佳麗;袁寧一;葉楓;丁建寧;;帽子層對勢壘層摻雜的GaN基HEMT電學性能影響模擬[J];常州大學學報(自然科學版);2010年04期

3 殷立雄;王芬;楊茂舉;黃艷;;Ga_2O_3氮化法合成GaN粉體的研究[J];硅酸鹽通報;2006年04期

4 王顯明,楊利,王翠梅,薛成山;氨化合成一維GaN納米線[J];稀有金屬材料與工程;2004年06期

5 翟化松;王坤鵬;余春燕;翟光美;董海亮;許并社;;N_2流量對GaN的形貌及光學和電學性能的影響[J];無機化學學報;2013年10期

6 高尚鵬,張衛(wèi)華,李家明,朱靜;團簇取樣法計算六方晶系GaN晶體中NK-edge電子能量損失譜近閾精細結構[J];中國科學(A輯);2001年10期

7 呂京濤,曹俊誠;基于GaN的太拉赫茲負微分電阻振蕩器[J];稀有金屬;2004年03期

8 薛守斌;張興;莊惠照;薛成山;;一維GaN納米結構的制備、表征及其特性研究[J];德州學院學報;2008年04期

9 何國敏,王仁智,鄭永梅;閃鋅礦結構GaN、AlN和合金Ga_(1-x)Al_xN光學性質計算[J];廈門大學學報(自然科學版);1998年02期

10 王顯明,楊利,王翠梅,薛成山;氨化反應自組裝GaN納米線[J];稀有金屬;2003年06期

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1 陳勇波;周建軍;徐躍杭;國云川;徐銳敏;;GaN高電子遷移率晶體管高頻噪聲特性的研究[A];2011年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2011年

2 金豫浙;曾祥華;胡益佩;;γ輻照對GaN基白光和藍光LED的光學和電學特性影響[A];二00九全國核反應會暨生物物理與核物理交叉前沿研討會論文摘要集[C];2009年

3 魏萌;王曉亮;潘旭;李建平;劉宏新;肖紅領;王翠梅;李晉閩;王占國;;高溫AlGaN緩沖層的厚度對Si(111)基GaN外延層的影響[A];第十一屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2010年

4 王文軍;宋有庭;袁文霞;曹永革;吳星;陳小龍;;用Li_3N和Ga生長塊狀GaN單晶的生長機制[A];第七屆北京青年科技論文評選獲獎論文集[C];2003年

5 劉福浩;許金通;王玲;王榮陽;李向陽;;GaN基雪崩光電二極管及其研究進展[A];第十屆全國光電技術學術交流會論文集[C];2012年

6 王曦;孫佳胤;武愛民;陳靜;王曦;;新型硅基GaN外延材料的熱應力模擬[A];第六屆中國功能材料及其應用學術會議論文集（10）[C];2007年

7 高飛;熊貴光;;GaN基量子限制結構共振三階極化[A];第五屆全國光學前沿問題研討會論文摘要集[C];2001年

8 凌勇;周赫田;朱星;黃貴松;黨小忠;張國義;;利用近場光譜研究GaN藍光二極管的雜質發(fā)光[A];第五屆全國STM學術會議論文集[C];1998年

9 王連紅;梁建;馬淑芳;萬正國;許并社;;GaN納米棒的合成與表征[A];第六屆中國功能材料及其應用學術會議論文集（6）[C];2007年

10 陳寵芳;劉彩池;解新建;郝秋艷;;HVPE生長GaN的計算機模擬[A];第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C];2007年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 銀河證券 曹遠剛;春蘭股份 開發(fā)GaN 又一方大[N];中國證券報;2004年

2 ;松下電器采用SiC基板開發(fā)出新型GaN系高頻晶體管[N];中國有色金屬報;2003年

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