發(fā)布時(shí)間：2017-11-06 04:20

  本文關(guān)鍵詞：GaN襯底摻雜模式對(duì)ZnO納米棒光學(xué)性質(zhì)的影響

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【摘要】：本文通過水熱法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3襯底上制備了ZnO納米棒陣列。利用X射線衍射儀(XRD)、高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)和光致發(fā)光譜(PL)對(duì)樣品進(jìn)行表征,研究在無種子層和金屬催化劑情況下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3襯底對(duì)ZnO納米棒生長(zhǎng)的影響。結(jié)果表明,在u-GaN和p-GaN上生長(zhǎng)的ZnO納米棒均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。在p-GaN上生長(zhǎng)的ZnO納米棒直徑較細(xì)且密度更大,這可能是由于p-GaN界面比較粗糙,界面能量較大,為ZnO的生長(zhǎng)提供了更多的形核區(qū)域;與生長(zhǎng)在u-GaN上的ZnO納米棒陣列相比,p-GaN上所沉積的ZnO納米棒在378.3 nm處有一個(gè)較強(qiáng)的近帶邊發(fā)射峰,且峰強(qiáng)比較大,說明在p-GaN上所制備的ZnO納米棒的晶體質(zhì)量和光學(xué)性能更好。
【作者單位】： 太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;太原理工大學(xué)新材料工程技術(shù)研究中心;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61404089) 山西省自然科學(xué)基金(2014011016-6) 山西省基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(2015021103) 山西省青年科技研究基金(2014021019-1)
【分類號(hào)】：TB383.1
【正文快照】： (Received 21 December 2015,accepted 24 February 2015)1引言一維納米材料,例如納米棒、納米線和納米帶,在電子器件和光電設(shè)備方面具有廣泛的應(yīng)用前景[1,2]。其中,氧化鋅納米棒陣列由于其禁帶寬度(3.37 e V)和激子束縛能(60 me V)較大[3],在光發(fā)射技術(shù)、場(chǎng)發(fā)射技術(shù)、場(chǎng)效應(yīng)

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 孫世杰;;H銉gan釨s AB中國(guó)有限公司擴(kuò)大在中國(guó)的投資[J];粉末冶金工業(yè);2006年02期

2 張佳麗;袁寧一;葉楓;丁建寧;;帽子層對(duì)勢(shì)壘層摻雜的GaN基HEMT電學(xué)性能影響模擬[J];常州大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2010年04期

3 殷立雄;王芬;楊茂舉;黃艷;;Ga_2O_3氮化法合成GaN粉體的研究[J];硅酸鹽通報(bào);2006年04期

4 王顯明,楊利,王翠梅,薛成山;氨化合成一維GaN納米線[J];稀有金屬材料與工程;2004年06期

5 翟化松;王坤鵬;余春燕;翟光美;董海亮;許并社;;N_2流量對(duì)GaN的形貌及光學(xué)和電學(xué)性能的影響[J];無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào);2013年10期

6 高尚鵬,張衛(wèi)華,李家明,朱靜;團(tuán)簇取樣法計(jì)算六方晶系GaN晶體中NK-edge電子能量損失譜近閾精細(xì)結(jié)構(gòu)[J];中國(guó)科學(xué)(A輯);2001年10期

7 呂京濤,曹俊誠(chéng);基于GaN的太拉赫茲負(fù)微分電阻振蕩器[J];稀有金屬;2004年03期

8 薛守斌;張興;莊惠照;薛成山;;一維GaN納米結(jié)構(gòu)的制備、表征及其特性研究[J];德州學(xué)院學(xué)報(bào);2008年04期

9 何國(guó)敏,王仁智,鄭永梅;閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaN、AlN和合金Ga_(1-x)Al_xN光學(xué)性質(zhì)計(jì)算[J];廈門大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1998年02期

10 王顯明,楊利,王翠梅,薛成山;氨化反應(yīng)自組裝GaN納米線[J];稀有金屬;2003年06期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 陳勇波;周建軍;徐躍杭;國(guó)云川;徐銳敏;;GaN高電子遷移率晶體管高頻噪聲特性的研究[A];2011年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（下冊(cè)）[C];2011年

2 金豫浙;曾祥華;胡益佩;;γ輻照對(duì)GaN基白光和藍(lán)光LED的光學(xué)和電學(xué)特性影響[A];二00九全國(guó)核反應(yīng)會(huì)暨生物物理與核物理交叉前沿研討會(huì)論文摘要集[C];2009年

3 魏萌;王曉亮;潘旭;李建平;劉宏新;肖紅領(lǐng);王翠梅;李晉閩;王占國(guó);;高溫AlGaN緩沖層的厚度對(duì)Si(111)基GaN外延層的影響[A];第十一屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2010年

4 王文軍;宋有庭;袁文霞;曹永革;吳星;陳小龍;;用Li_3N和Ga生長(zhǎng)塊狀GaN單晶的生長(zhǎng)機(jī)制[A];第七屆北京青年科技論文評(píng)選獲獎(jiǎng)?wù)撐募痆C];2003年

5 劉福浩;許金通;王玲;王榮陽(yáng);李向陽(yáng);;GaN基雪崩光電二極管及其研究進(jìn)展[A];第十屆全國(guó)光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2012年

6 王曦;孫佳胤;武愛民;陳靜;王曦;;新型硅基GaN外延材料的熱應(yīng)力模擬[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（10）[C];2007年

7 高飛;熊貴光;;GaN基量子限制結(jié)構(gòu)共振三階極化[A];第五屆全國(guó)光學(xué)前沿問題研討會(huì)論文摘要集[C];2001年

8 凌勇;周赫田;朱星;黃貴松;黨小忠;張國(guó)義;;利用近場(chǎng)光譜研究GaN藍(lán)光二極管的雜質(zhì)發(fā)光[A];第五屆全國(guó)STM學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1998年

9 王連紅;梁建;馬淑芳;萬正國(guó);許并社;;GaN納米棒的合成與表征[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（6）[C];2007年

10 陳寵芳;劉彩池;解新建;郝秋艷;;HVPE生長(zhǎng)GaN的計(jì)算機(jī)模擬[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 銀河證券 曹遠(yuǎn)剛;春蘭股份 開發(fā)GaN 又一方大[N];中國(guó)證券報(bào);2004年

2 ;松下電器采用SiC基板開發(fā)出新型GaN系高頻晶體管[N];中國(guó)有色金屬報(bào);2003年

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本文編號(hào)：1147322