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碳納米管場發(fā)射燒毀機(jī)理研究

發(fā)布時(shí)間:2017-11-05 05:06

  本文關(guān)鍵詞:碳納米管場發(fā)射燒毀機(jī)理研究


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【摘要】:在碳納米管場發(fā)射過程中,碳納米管燒毀現(xiàn)象一直是影響碳納米管場發(fā)射能力及穩(wěn)定性的重要因素。目前,對碳納米管燒毀機(jī)理研究較少。本文采用化學(xué)氣相沉積原位生長技術(shù)制備了不同形貌的碳納米管陣列。通過對不同形貌的碳納米管場發(fā)射測試過程及碳納米管燒毀前后形貌的研究,得出碳納米管燒毀機(jī)理主要有三種。一是碳納米管高度不均勻和碳納米管本身的缺陷等原因引起了電場局域現(xiàn)象,這種局域場強(qiáng)使得碳納米管局域溫度過高而引起碳納米管燒毀;二是碳納米管吸附和脫附造成碳納米管燒毀;三是碳納米管與基片間存在較高的接觸電阻而產(chǎn)生較高的焦耳熱,使得碳納米管燒毀。本文不僅給出了碳納米管燒毀機(jī)理,還給出了相應(yīng)的解決方案。這對碳納米管場發(fā)射陰極的研究具有一定的意義。
【作者單位】: 電磁防護(hù)技術(shù)山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;太原科技大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院;山西大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院;
【基金】:山西省青年創(chuàng)新基金項(xiàng)目(No.2013021004-3,No.2014021020-1) 山西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(批準(zhǔn)號:2014011049-26)資助項(xiàng)目
【分類號】:TB383.1
【正文快照】: 碳納米管基于其較好的化學(xué)穩(wěn)定性、力學(xué)性能、電學(xué)性能和機(jī)械性能,不僅在電子器件和電路等方面具有較大的應(yīng)用潛力,而且在場發(fā)射方面也具有較好的應(yīng)用前景[1_2]。與傳統(tǒng)的場發(fā)射源相比,碳納米管場發(fā)射具有較大的電流密度、低閾值場強(qiáng)、室溫發(fā)射等優(yōu)越的性能,這使其在器件應(yīng)用

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條

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3 陳偉中;王蜀霞;賀葉露;陳西浩;杜聲玖;;測試環(huán)境對碳納米管場發(fā)射性能的影響[J];功能材料;2010年08期

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【共引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 李哲;馬江將;李克訓(xùn);李旭峰;魏學(xué)紅;鞠軍燕;賈琨;趙亞麗;;碳納米管場發(fā)射燒毀機(jī)理研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2016年06期

2 孫繼偉;賈琨;賈愛珍;呂德濤;許曉麗;郭峰;趙亞麗;;碳納米管場發(fā)射測試方法對其性能的影響[J];應(yīng)用化工;2016年06期

3 張典;胡海龍;劉玉會(huì);胡利勤;吳薇;郭太良;;納米CuO/CNT復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備及其場發(fā)射性能研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2014年12期

4 葉蕓;陳填源;郭太良;蔣亞東;;磁場輔助熱處理金屬化碳納米管場發(fā)射性能[J];物理學(xué)報(bào);2014年08期

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8 韓建勛;李玉魁;;新型柵極結(jié)構(gòu)的單色三極場發(fā)射器件[J];液晶與顯示;2010年03期

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【二級參考文獻(xiàn)】

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6 劉勇;孫曉剛;朱正吼;羅軍;;化學(xué)氣相沉積法制備大面積定向碳納米管[J];材料導(dǎo)報(bào);2006年05期

7 卞保民,賀安之,李振華,楊玲,張平,沈中華,倪曉武;理想氣體一維不定常流自模擬運(yùn)動(dòng)的基本微分方程[J];物理學(xué)報(bào);2005年12期

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9 張兆祥,侯士敏,劉惟敏,趙興鈺,薛增泉,施祖進(jìn),顧鎮(zhèn)南;利用場發(fā)射顯微鏡研究單壁碳納米管的場發(fā)射特性[J];真空科學(xué)與技術(shù);2001年06期

10 孫建平,張兆祥,侯士敏,趙興鈺,施祖進(jìn),顧鎮(zhèn)南,劉惟敏,薛增泉;用場發(fā)射顯微鏡研究單壁碳納米管場發(fā)射[J];物理學(xué)報(bào);2001年09期

【相似文獻(xiàn)】

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1 王莉莉;陳奕衛(wèi);陳婷;孫卓;馮濤;張燕萍;高陽;闕文修;;電泳法制備場發(fā)射陰極的性能優(yōu)化研究[J];液晶與顯示;2007年06期

2 王隆洋;王小平;王麗軍;段新超;張雷;;摻雜對碳基材料場發(fā)射的影響[J];材料導(dǎo)報(bào);2008年06期

3 錢開友;林仰魁;徐東;蔡炳初;孫卓;;碳基場發(fā)射冷陰極材料的研究[J];材料導(dǎo)報(bào);2004年05期

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5 邢曉曼;代秋聲;;碳納米管場發(fā)射陰極制備技術(shù)的最新進(jìn)展[J];CT理論與應(yīng)用研究;2013年01期

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7 崔雪梅;王艷;鄧敏;丁桂甫;;植布法制備鎳基碳納米管場發(fā)射陰極及其性能研究[J];功能材料;2011年11期

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6 周雪東;張宇寧;孫瑩;雷威;張曉兵;;最佳碳納米管場發(fā)射陰極陣列密度的研究[A];第四屆華東真空科技學(xué)術(shù)交流展示會(huì)學(xué)術(shù)論文集[C];2003年

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10 佘峻聰;黃一峰;王偉良;鄧少芝;許寧生;;硅微尖錐場發(fā)射陰極的微納加工工藝及性能優(yōu)化研究[A];中國電子學(xué)會(huì)真空電子學(xué)分會(huì)第十九屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集(下冊)[C];2013年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條

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6 魯占靈;納米非晶碳膜制備及其場致電子發(fā)射性能研究[D];鄭州大學(xué);2006年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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5 段志強(qiáng);納米體系中場發(fā)射的結(jié)構(gòu)效應(yīng)[D];北京工業(yè)大學(xué);2007年

6 時(shí)晴暄;場發(fā)射陣列薄膜技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2007年

7 袁光軍;表面?zhèn)鲗?dǎo)場發(fā)射陰極的模擬[D];中國海洋大學(xué);2013年

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10 李新義;鉬硅化物的場發(fā)射研究[D];電子科技大學(xué);2008年

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本文編號:1142706

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