本文關(guān)鍵詞：磁控濺射Al-Fe-Sn薄膜的電輸運(yùn)性能（英文）　出處：《稀有金屬材料與工程》2016年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在電子工業(yè)中,為了制備低電阻率的Al合金薄膜,需要對(duì)薄膜進(jìn)行退火。雖然材料的電阻率與其電輸運(yùn)性能密切相關(guān),然而到目前為止,對(duì)于鋁合金薄膜的電輸運(yùn)性能研究甚少。本實(shí)驗(yàn)首先利用TEM對(duì)于磁控濺射鋁合金薄膜的結(jié)構(gòu),特別是對(duì)其與基底界面處的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。在此基礎(chǔ)上,利用霍爾效應(yīng)測(cè)試了解界面狀態(tài)的變化對(duì)于霍爾載流子濃度及遷移率的影響。結(jié)果表明,在退火過程中,薄膜與基底之間通過擴(kuò)散形成緊密接觸,從而使得合金薄膜同時(shí)具有較高的載流子濃度以及載流子遷移率。最后,利用一個(gè)新提出的能帶模型,解釋所觀察到的界面變化對(duì)于電導(dǎo)率的影響。
[Abstract]:In order to prepare the low resistivity Al alloy film in the electronics industry, the film needs to be annealed. Although the resistivity of the material is closely related to its electrical transport properties, so far, the electrical transport properties of the aluminum alloy thin film are seldom studied. In this experiment, the structure of the magnetron sputtering aluminum alloy film was first used to characterize the structure of the magnetron sputtering aluminum alloy film, especially the structure at the interface between the TEM and the substrate. On this basis, the Holzer effect test was used to understand the influence of the change of the interface state on the carrier concentration and mobility of Holzer. The results show that during annealing process, thin film and substrate are formed by tight diffusion, which leads to higher carrier concentration and carrier mobility at the same time. Finally, a new proposed energy band model is used to explain the effect of the observed interface changes on the conductivity.
【作者單位】： 同濟(jì)大學(xué);
【分類號(hào)】：TG146.21;TB383.2
【正文快照】： Al and Al alloy films with high characteristics are still nowthe major conductive materials in practical applications formany kinds of electrical equipments and power systems.Therepresentative Al films as wires have been widely used forVLSI(very large sc

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本文編號(hào)：1343331